Inny tytuł:

Wyznaczanie grubości warstw BN na podłożu Al2O3 za pomocąspektroskopii FT-IR

Wydawca:

Łukasiewicz – ITME

Miejsce wydania:

Warsaw

Data publ. on-line:

2020

Opis:

24 cm.

Typ obiektu:

Book/Chapter

Abstrakt:

Hexagonal boron nitride (h-BN) is an attractive material for applications in electronics. The technology of devices basedon BN requires non-destructive and fast methods of controlling the parameters of the produced layers. Boron nitride layersof different thickness were grown on sapphire substrates (Al2O3) using the MOCVD method. The obtained films werecharacterized by FT-IR spectroscopy using IRR and ATR techniques and by the XRR and SEM methods. We showed thatby analyzing the ATR or reflectance spectrum in the range of 600-2500 cm-1 we can measure the thickness of a BN layeron the Al2O3 substrate. Our measuring method allows measuring the layers with a thickness from ~2 nm to approx. 20 nm.

Czasopismo/Seria/cykl:

Electronic Materials

Tom:

48

Zeszyt:

1-4

Strona pocz.:

15

Strona końc.:

20

Szczegółowy typ zasobu:

Article

Format:

application/octet-stream

Identyfikator zasobu:

oai:rcin.org.pl:156161

Źródło:

ITME, sygn. dostępny ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

eng

Prawa:

Rights Reserved - Free Access

Zasady wykorzystania:

Copyright-protected material. [CC BY 4.0] May be used within the scope specified in Creative Commons Attribution BY 4.0 license, full text available at:

Digitalizacja:

Institute of Electronic Materials Technology

Lokalizacja oryginału:

Library of the Institute of Electronic Materials Technology

Dofinansowane ze środków:

Activities popularizing science (DUN) ; Ministry of Science and Higher Education

Dostęp:

Open