Pomiar czasu życia nośników mniejszościowych w krzemowych warstwach epitaksjalnych za pomocą sondy rtęciowej = Minority carriers generation lifetime measuring by means of mercury prote - Digital Repository of Scientific Institutes

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Pomiar czasu życia nośników mniejszościowych w krzemowych warstwach epitaksjalnych za pomocą sondy rtęciowej = Minority carriers generation lifetime measuring by means of mercury prote

Download

Title: Pomiar czasu życia nośników mniejszościowych w krzemowych warstwach epitaksjalnych za pomocą sondy rtęciowej = Minority carriers generation lifetime measuring by means of mercury prote

Creator:

Brzozowski Andrzej

Date issued/created:

Resource type:

Subtitle:

Materiały Elektroniczne 1993 T.21 nr 1

Contributor:

Publisher:

Place of publishing:

Description:

9-16 s. : il. ; 24 cm. ; Bibliogr. s. 16

Relation:

Electronic Materials

Volume:

Issue:

Start page:

End page:

Detailed Resource Type:

Format:

application/pdf

Resource Identifier:

oai:rcin.org.pl:13659

Source:

ITME, sygn. dostępny ; click here to follow the link

Language:

Rights:

Rights Reserved - Free Access

Terms of use:

Copyright-protected material. May be used within the limits of statutory user freedoms

Digitizing institution:

Institute of Electronic Materials Technology

Original in:

Library of the Electronic Materials Technology Institute

Projects co-financed by:

Programme Innovative Economy, 2010-2014, Priority Axis 2. R&D infrastructure ; European Union. European Regional Development Fund

Access:

Subject and keywords:

Electronic - materials Electronic - journal - materials silicon epitaxial layer minority carriers lifetime Si

Object collections:

Last modified:

Oct 2, 2020

In our library since:

Sep 19, 2012

Number of object content downloads / hits:

1072

All available object's versions:

https://www.rcin.org.pl/publication/14238

Show description in RDF format:

Show description in RDFa format:

Show description in OAI-PMH format:

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE

Edition name	Date
Brzozowski Andrzej, Pomiar czasu życia nośników mniejszościowych w krzemowych warstwach epitaksjalnych za pomocą sondy rtęciowej	Oct 2, 2020

Objects Similar

Pomiar koncentracji nosników ładunku w płytkach monokryształów objętościowych i warstwach epitaksjalnych SiC za pomocą sondy rtęciowej = Measurement of charge carrier concentration in SiC wafers of bulk crystals and epitaxial layers using mercury probe

Brzozowski Andrzej

2008

Text

Pomiar koncentracji nosników ładunku w płytkach monokryształów objętościowych i warstwach epitaksjalnych SiC za pomocą sondy rtęciowej = Measurement of charge carrier concentration in SiC wafers of bulk crystals and epitaxial layers using mercury probe

Brzozowski Andrzej

2008

Text

Krzemowe warstwy epitaksjalne o grubości powyżej 20 um = Silicon epitaxial layers of thickness above 20 um

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1976

Text

Krzemowe warstwy epitaksjalne do mikrofalowych diod przestrajających = Silicon epitaxial layers for microwave tunung diodes

Skwarcz Jerzy

1992

Text

Wpływ stanu powierzchni i krzemu na pomiar rezystywności metodą "oporności rozpływu" = The influence of the surface conditions on the resistivity measurements of silicon by the spreading resistance method

Brzozowski Andrzej

1982

Text

Pomiar warstw epitaksjalnych metoda C-V przy użyciu sondy rtęciowej = Measurements of the epitaxial layers parameters by means of C-V method with Hg probe

Brzozowski Andrzej

1984

Text

Krzemowe warstwy epitaksjalne o zmiennym profilu rezystywności = Silicon epitaxial layers with profiled resistivity

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1985

Text

Niektóre defekty obserwowane w homoepitaksjalnych warstwach krzemu = Some of observed defects in silicon homoepitaxial layers

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1976

Text

More

Citation style:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

This page uses 'cookies'. More information