Pomiar koncentracji nośników większościowych w warstwach epitaksjalnych związków AIIIBV metodą napięcia przebicia = Measurement of the carrier concentration in epitaxial layers of III-V compounds by the breakdown voltage method - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Przejdź do menu głównego
Przejdź do wyszukiwarki
Przejdź do treści
Przejdź do stopki

Pomiar koncentracji nośników większościowych w warstwach epitaksjalnych związków AIIIBV metodą napięcia przebicia = Measurement of the carrier concentration in epitaxial layers of III-V compounds by the breakdown voltage method

Pobierz

Tytuł: Pomiar koncentracji nośników większościowych w warstwach epitaksjalnych związków AIIIBV metodą napięcia przebicia = Measurement of the carrier concentration in epitaxial layers of III-V compounds by the breakdown voltage method

Twórca:

Data wydania/powstania:

Typ zasobu:

Inny tytuł:

Materiały Elektroniczne 1985 nr 3(51)

Współtwórca:

Lichowski Maciej

Wydawca:

Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"

Miejsce wydania:

Opis:

s. 27-33 : il. ; Bibliogr. s. 33

Czasopismo/Seria/cykl:

Materiały Elektroniczne

Tom:

Zeszyt:

Strona pocz.:

Strona końc.:

Szczegółowy typ zasobu:

Format:

24 cm. ; application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:rcin.org.pl:9483

Źródło:

ITME, sygn. dostępny ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

Prawa:

Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony

Zasady wykorzystania:

Zasób chroniony prawem autorskim. Korzystanie dozwolone w zakresie określonym przez przepisy o dozwolonym użytku.

Digitalizacja:

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Lokalizacja oryginału:

Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych

Dofinansowane ze środków:

Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R ; Unia Europejska. Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego

Dostęp:

Temat i słowa kluczowe:

Elektronika - czasopismo - materiały Materiały elektroniczne warstwa epitaksjalna AIIIBV koncentracja nośników większościowych

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

2 paź 2020

Data dodania obiektu:

6 sie 2012

Liczba pobrań / odtworzeń:

774

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://www.rcin.org.pl/publication/12414

Wyświetl opis w formacie RDF:

Wyświetl opis w formacie RDFa:

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE

Nazwa wydania	Data
Kot Waldemar, Pomiar koncentracji nośników większościowych w warstwach epitaksjalnych związków AIIIBV metodą napięcia przebicia	2 paź 2020

Obiekty Podobne

Określenie parametrów elektrycznych epitaksjalnych warstw arsenofosforku galu osadzonych na podłożach GaAs

Kot Waldemar

1977

Tekst

Charakteryzacja arsenku galu na tranzystory MESFET

Kot Waldemar

1990

Tekst

Określanie stopnia kompensacji w Si : P na podstawie temperaturowej zależności koncentracji elektronów

Kot Waldemar

1985

Tekst

Zastosowanie metody mikroanalizy rentgenowskiej do badania składu chemicznego warstw epitaksjalnych związków potrójnych grupy AIIIBV na przykładzie GA1-xAlxAs

Kozłowska Halina

1974

Tekst

Podwójna mikroniejednorodność półprzewodników AIIIbV

Świderski Jarosław

1976

Tekst

Związki AIIBVI jako materiały do wytwarzania elementów przepuszczalnych dla podczerwieni

Piga Witold

1983

Tekst

Otrzymywanie i morfologia wzrostu monokryształów związków typuA3IIB2V

Żdanowicz Witold

1976

Tekst

Zastosowanie selektywnego trawienia chemicznego do określenia położenia ścięć bazowych na monokrystalicznych płytkach o orientacji (100) wiązków półprzewodnikowych typu AIIIBV

Pawłowska Joanna

2008

Tekst

Więcej

Styl cytowania:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji