Materiały Elektroniczne 1978 nr 3(23)
Pawłowska Marta ; Wierzchowski Wojciech ; Wąsowski Jan
Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
s. 28-[52] : il. ; 24 cm. ; Bibliogr. s. [52]
ITME, sygn. dostępny ; kliknij tutaj, żeby przejść
Copyright-protected material. May be used within the limits of statutory user freedoms
Institute of Electronic Materials Technology
Library of the Electronic Materials Technology Institute
Programme Innovative Economy, 2010-2014, Priority Axis 2. R&D infrastructure ; European Union. European Regional Development Fund
2 paź 2020
31 gru 2012
1440
https://www.rcin.org.pl/publication/11366
Nazwa wydania | Data |
---|---|
Hofman Władysław, Badanie defektów krystalograficznych generowanych w trakcie operacji wytwarzania tranzystora p-n-p | 2 paź 2020 |
Hofman Władysław
Hofman Władysław
Hofman Władysław
Hofman Władysław