Materiały Elektroniczne
application/pdf
Electronic Materials
ITME, sygn. dostępny
Text
Electronic - journal - materials
4H-SiC
Elektronika - czasopismo - materiały
ITME
Tekst
pol
Wpływ trawienia podłoży 4H-SiC na epitaksję GaN = The influence of the 4H-SiC substrats etching on GaN epitaxy
Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony
Materiały elektroniczne
Electronic - materials
GaN
Bibliogr. s. 15-16
Wpływ trawienia podłoży 4H-SiC na epitaksję GaN
5-16 s. : il. 24 cm.
Rights Reserved - Free Access
Caban Piotr
Materiały Elektroniczne 2008 T.36 nr 4
LP MOVPE