Wpływ trawienia podłoży 4H-SiC na epitaksję GaN
relation: Materiały Elektroniczne
format: application/pdf
relation: Electronic Materials @en
source: ITME, sygn. dostępny
type: Text @en
subject: Electronic - journal - materials @en
subject: 4H-SiC
subject: Elektronika - czasopismo - materiały
publisher: ITME
type: Tekst
language: pol
title: Wpływ trawienia podłoży 4H-SiC na epitaksję GaN = The influence of the 4H-SiC substrats etching on GaN epitaxy @en
rights: Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony
source: http://katalog.pan.pl/webpac-bin/218bitmeEN/wgbroker.exe
subject: Materiały elektroniczne
subject: Electronic - materials @en
subject: GaN
date: 2008
description: Bibliogr. s. 15-16
source: http://katalog.pan.pl/webpac-bin/218bitmePL/wgbroker.exe
description: 5-16 s. : il. 24 cm.
rights: Rights Reserved - Free Access @en
creator: Caban Piotr
title: Materiały Elektroniczne 2008 T.36 nr 4
subject: LP MOVPE