Język metadanych
Solution growth of 3C-SiC by TSSG method
Inny tytuł:Electronic Materials V.43 Nr 2
Twórca: Współtwórca:Tymicki Emil ; Łukasiewicz Tadeusz
Wydawca: Miejsce wydania: Data wydania/powstania: Opis:Bibliogr. p.: 11 ; p.: 4-11 il. 30 cm.
Temat i słowa kluczowe:polyytype 3C ; Si ; solution growth
Czasopismo/Seria/cykl:Electronic Materials V. 43 Nr 2 2015
Tom: Zeszyt: Strona pocz.: Strona końc.: Typ zasobu: Szczegółowy typ zasobu: Format: Źródło: Język: Prawa: Zasady wykorzystania:Copyright-protected material. May be used within the limits of statutory user freedoms
Digitalizacja:Institute of Electronic Materials Technology
Lokalizacja oryginału:Library of the Electronic Materials Technology Institute
Dofinansowane ze środków:Programme Innovative Economy, 2010-2014, Priority Axis 2. R&D infrastructure ; European Union. European Regional Development Fund
Dostęp: