Język metadanych
Determination of the thickness of BN layers on the Al2O3substrate by FT-IR spectroscopy
Inny tytuł:Wyznaczanie grubości warstw BN na podłożu Al2O3 za pomocąspektroskopii FT-IR
Twórca:Możdżonek Małgorzata ; Caban Piotr ; Gaca Jarosław ; Wójcik Marek ; Piątkowska Anna
Wydawca: Miejsce wydania: Data wydania/powstania: Data publ. on-line: Opis: Typ obiektu: Temat i słowa kluczowe:h-BN layers ; ATR ; ITR ; XRR ; thickness measurement ; Al2O3
Abstrakt:Hexagonal boron nitride (h-BN) is an attractive material for applications in electronics. The technology of devices basedon BN requires non-destructive and fast methods of controlling the parameters of the produced layers. Boron nitride layersof different thickness were grown on sapphire substrates (Al2O3) using the MOCVD method. The obtained films werecharacterized by FT-IR spectroscopy using IRR and ATR techniques and by the XRR and SEM methods. We showed thatby analyzing the ATR or reflectance spectrum in the range of 600-2500 cm-1 we can measure the thickness of a BN layeron the Al2O3 substrate. Our measuring method allows measuring the layers with a thickness from ~2 nm to approx. 20 nm.
Czasopismo/Seria/cykl: Tom: Zeszyt: Strona pocz.: Strona końc.: Typ zasobu: Szczegółowy typ zasobu: Format: Źródło:ITME, sygn. dostępny ; kliknij tutaj, żeby przejść
Język: Prawa: Zasady wykorzystania: Digitalizacja:Institute of Electronic Materials Technology
Lokalizacja oryginału:Library of the Institute of Electronic Materials Technology
Dofinansowane ze środków:Activities popularizing science (DUN) ; Ministry of Science and Higher Education
Dostęp: