Metadata language
Determination of the thickness of BN layers on the Al2O3substrate by FT-IR spectroscopy ; Materiały Elektroniczne
Subtitle:Wyznaczanie grubości warstw BN na podłożu Al2O3 za pomocąspektroskopii FT-IR
Creator:Możdżonek Małgorzata ; Caban Piotr ; Gaca Jarosław ; Wójcik Marek ; Piątkowska Anna
Publisher: Place of publishing: Date issued/created: Date on-line publ.: Description: Type of object: Subject and Keywords:warstwy h-BN ; ATR ; IRR ; XRR ; pomiar grubości ; Al2O3 ; Elektronika - czasopismo - materiały ; Materiały elektroniczne
Abstract:Hexagonal boron nitride (h-BN) is an attractive material for applications in electronics. The technology of devices basedon BN requires non-destructive and fast methods of controlling the parameters of the produced layers. Boron nitride layersof different thickness were grown on sapphire substrates (Al2O3) using the MOCVD method. The obtained films werecharacterized by FT-IR spectroscopy using IRR and ATR techniques and by the XRR and SEM methods. We showed thatby analyzing the ATR or reflectance spectrum in the range of 600-2500 cm-1 we can measure the thickness of a BN layeron the Al2O3 substrate. Our measuring method allows measuring the layers with a thickness from ~2 nm to approx. 20 nm.
Relation: Volume: Issue: Start page: End page: Resource type: Detailed Resource Type: Format: Source:ITME, sygn. dostępny ; click here to follow the link
Language: Rights:Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony
Terms of use: Digitizing institution:Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Original in:Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych
Projects co-financed by:Działalność upowszechniająca naukę (DUN) ; Ministra Nauki i Szkolnictwa Wyższego
Access: