SiC Schottky barrier rectifiers - theory and practice = Diody prostownicze Schottky'ego z węglika krzemu Teoria i praktyka - Digital Repository of Scientific Institutes

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

SiC Schottky barrier rectifiers - theory and practice = Diody prostownicze Schottky'ego z węglika krzemu Teoria i praktyka

Download

Title: SiC Schottky barrier rectifiers - theory and practice = Diody prostownicze Schottky'ego z węglika krzemu Teoria i praktyka

Creator:

Synowiec Zdzisław

Date issued/created:

Resource type:

Subtitle:

Materiały Elektroniczne 2004 T.32 nr 1/4

Publisher:

Place of publishing:

Description:

5-22 s. : il. 24 cm. ; Bibliogr. s. 20-22

Relation:

Electronic Materials

Volume:

Issue:

Start page:

End page:

Detailed Resource Type:

Format:

application/pdf

Resource Identifier:

oai:rcin.org.pl:18024

Source:

ITME, sygn. dostępny ; click here to follow the link

Language:

Rights:

Rights Reserved - Free Access

Terms of use:

Copyright-protected material. May be used within the limits of statutory user freedoms

Digitizing institution:

Institute of Electronic Materials Technology

Original in:

Library of the Electronic Materials Technology Institute

Projects co-financed by:

Programme Innovative Economy, 2010-2014, Priority Axis 2. R&D infrastructure ; European Union. European Regional Development Fund

Access:

Subject and keywords:

Electronic - journal - materials Electronic - materials Schottky rectifier SiC

Object collections:

Last modified:

Oct 2, 2020

In our library since:

Dec 7, 2012

Number of object content downloads / hits:

679

All available object's versions:

https://www.rcin.org.pl/publication/15620

Show description in RDF format:

Show description in RDFa format:

Show description in OAI-PMH format:

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE

Edition name	Date
Synowiec Zdzisław, SiC Schottky barrier rectifiers - theory and practice	Oct 2, 2020

Objects Similar

15R-SiC w kryształach 4H- i 6H-SiC otrzymywanych metodą transportu fizycznego z fazy gazowej = 15R-SiC inclusions in 4H-and 6H-SiC crystals grown by the physical vapour transport method

Tymicki Emil

2012

Text

Poprawa jakości polerowanych płytek SiC metodą chemicznego utleniania i obróbki termicznej. Badania jakości powierzchni metodami rentgenowskimi = Improvement of the quality of SiC wafers polished using chemical oxidation and heat treatment. Examination of the quality of the surface using X-ray technoques

Sakowska Halina

2012

Text

SiC die-substrate connections for high temperature applications = Techniki montażu struktur SiC do podłoża dla zastosowań wysokotemperaturowych

Szczepański Zbigniew

2009

Text

Zastosowanie elektronowego rezonansu spinowego (ESR) do określania politypu kryształów SiC = Application of electron SPIN resonance (ESR) to polytype determination of SiC crystals

Pawłowski Mariusz

2008

Text

Deep-level deffects in epitaxial 4H-SiC irradiated with low-energy electrons = Głębokie centra defektowe w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC napromieniowanych elektronami o niskiej energii

Kamiński Paweł

2010

Text

Opracowanie metody ujawniania położenia złącza LH typu n+n oraz p+p w strukturach epitaksjalnych z SiC metoda chemicznego barwienia = Identification of position of the n+n and p+p LH junctions in epitaxial SiC layers by chemical decoration

Przyborowska Krystyna

2011

Text

Wpływ trawienia podłoży 4H-SiC na epitaksję GaN = The influence of the 4H-SiC substrats etching on GaN epitaxy

Caban Piotr

2008

Text

Pomiar koncentracji nosników ładunku w płytkach monokryształów objętościowych i warstwach epitaksjalnych SiC za pomocą sondy rtęciowej = Measurement of charge carrier concentration in SiC wafers of bulk crystals and epitaxial layers using mercury probe

Brzozowski Andrzej

2008

Text

More

Citation style:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

This page uses 'cookies'. More information