TY - GEN N1 - Bibliogr. s. 75 N1 - 63-75 s. : il. 24 cm. L1 - http://www.rcin.org.pl/Content/7175/PDF/WA901_16003_M1-r2008-t36-z3_Mater-Elektroniczne_Pawlowska_i.pdf M3 - Text J2 - Materiały Elektroniczne 2008 T.36 nr 3 PY - 2008 IS - 3 EP - 75 KW - Electronic - materials KW - Electronic - journal - materials KW - flats KW - chemical etching AIIIBV materials A1 - Pawłowska Joanna A2 - Bańkowska Anna PB - ITME VL - 36 CY - Warszawa SP - 63 T1 - Zastosowanie selektywnego trawienia chemicznego do określenia położenia ścięć bazowych na monokrystalicznych płytkach o orientacji (100) wiązków półprzewodnikowych typu AIIIBV Joanna Pawłowska, Anna Bańkowska. = Application of selective chemical etching to producing on the orientation flats on the wafers III-V semiconducting compounds UR - http://www.rcin.org.pl/dlibra/publication/edition/7175 ER -