TY - GEN N1 - s. 17-17-27 : il. 30 cm L1 - http://www.rcin.org.pl/Content/27945/PDF/WA901_46214_M1_r2012-t40-z3_Mater-Elektron-Tymi_i.pdf M3 - Text J2 - Materiały Elektroniczne 2012 T.40 nr 3 PY - 2012 IS - 3 EP - 27 KW - Electronic - journal - materials KW - Electronic - materials KW - SiC KW - 15R-SiC KW - polytype inclusion KW - Method PVT A1 - Tymicki Emil A2 - Raczkiewicz Marcin A2 - Racka Katarzyna A2 - Grasza Krzysztof A2 - Kościewicz Kinga A2 - Diduszko Ryszard A2 - Mazur Krystyna A2 - Łukasiewicz Tadeusz PB - ITME VL - 40 CY - Warszawa SP - 17 T1 - 15R-SiC w kryształach 4H- i 6H-SiC otrzymywanych metodą transportu fizycznego z fazy gazowej = 15R-SiC inclusions in 4H-and 6H-SiC crystals grown by the physical vapour transport method UR - http://www.rcin.org.pl/dlibra/publication/edition/27945 ER -