TY - GEN N1 - Bibliogr. s. 34-35 N1 - 18-35 s. : il. 30 cm. L1 - http://www.rcin.org.pl/Content/27749/PDF/WA901_17022_M1_r2011-t39-z1_Mater-Elektron-Kam_i.pdf M3 - Text J2 - Materiały Elektroniczne 2011 T.39 nr 1 PY - 2011 IS - 1 EP - 35 KW - Electronic - materials KW - Electronic - journal - materials KW - HRPITS KW - defect center KW - GaN A1 - Kamiński Paweł PB - ITME VL - 39 CY - Warszawa SP - 18 T1 - Centra defektowe w wysokorezystywnych warstwach epitaksjalnych = Defect centers in high-resistivity epitaxial GaN UR - http://www.rcin.org.pl/dlibra/publication/edition/27749 ER -