TY - GEN N1 - 17-26 s. : il. ; 24 cm. N1 - Bibliogr. s. 25-26 L1 - http://www.rcin.org.pl/Content/13661/PDF/WA901_14239_M1_r1993-t21-z1_Mater-Elektron-Stru_i.pdf M3 - Text J2 - Materiały Elektroniczne 1993 T.21 nr 1 PY - 1993 IS - 1 EP - 26 KW - Electronic - materials KW - Electronic - journal - materials KW - epitaxy KW - GaAs KW - doping profile A1 - Strupiński Włodzimierz PB - ITME VL - 21 CY - Warszawa SP - 17 T1 - Optymalizacja profilu koncentracji domieszki w warstwach GaAs otrzymywanych metodami MOVPE i HVPE = Optimalization of doping profile in GaAs epilayers obtained by MOVPE and HVPE methods UR - http://www.rcin.org.pl/dlibra/publication/edition/13661 ER -