@misc{Hruban_Andrzej_Monokryształy_2013,
 author={Hruban Andrzej},
 volume={41},
 editor={Orłowski Wacław},
 editor={Strzelecka Stanisława},
 editor={Piersa Mirosław},
 editor={Jurkiewicz-Wegner Elżbieta},
 editor={Mirowska Aleksandra},
 editor={Rojek Anna},
 number={2},
 copyright={Rights Reserved - Free Access},
 address={Warszawa},
 journal={Electronic Materials},
 howpublished={online},
 year={2013},
 publisher={ITME},
 language={pol},
 type={Text},
 title={Monokryształy Si GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych = [310]-oriented SI GaAs single crystals as material for epitaxial substrates},
 URL={http://www.rcin.org.pl/Content/41656/PDF/WA901_59103_M1_r2013-t41-z2_Mater-Elektron-Hru_i.pdf},
 keywords={SI GaAs, gallium arsenide, Czochralski method, LEC, orientation},
}