@misc{Wójcik_Marek_Rentgenowska_2012,
 author={Wójcik Marek},
 volume={40},
 number={4},
 editor={Strupiński Włodzimierz},
 editor={Rudziński Mariusz},
 editor={Gaca Jarosław},
 copyright={Rights Reserved - Free Access},
 address={Warszawa},
 journal={Electronic Materials},
 howpublished={online},
 year={2012},
 publisher={ITME},
 language={pol},
 type={Text},
 title={Rentgenowska metoda określania profilu składu chemicznego w heterostrukturach GaN/InGaN otrzymywanych metodą MOCVD na podłożu szafirowym = HRXRD investigation of the chemical composition profile in the GaN/InGaN heterostructures grown by the MOCVD method on a saphire substrate},
 URL={http://www.rcin.org.pl/Content/27956/PDF/WA901_46239_M1_r2012-t40-z4_Mater-Elektron-Wojc_i.pdf},
 keywords={Electronic - journal - materials, Electronic - materials, HRXRD, heterostructure, inteface, GaN, InGaN},
}