@misc{Hruban_Andrzej_Zintegrowany_2012,
 author={Hruban Andrzej},
 volume={40},
 editor={Orłowski Wacław},
 editor={Mirowska Aleksandra},
 editor={Strzelecka Stanisława},
 editor={Piersa Mirosław},
 editor={JJurkiewicz-Wegner Elżbieta},
 editor={Materna Andrzej},
 editor={Dalecki Wojciech},
 number={3},
 copyright={Rights Reserved - Free Access},
 address={Warszawa},
 journal={Electronic Materials},
 howpublished={online},
 year={2012},
 publisher={ITME},
 language={pol},
 type={Text},
 title={Zintegrowany proces otrzymywania monokryształów Si GaAs metodą Czochralskiego z hermetyzacją cieczową = Integrated process of SI GaAs crystals manufacturing by the liquid encapsulated Czochralski method},
 URL={http://www.rcin.org.pl/Content/27947/PDF/WA901_46217_M1_r2012-t40-z3_Mater-Elektron-Hrub_i.pdf},
 keywords={Electronic - journal - materials, Electronic - materials, SI GaAs, LEC thermal annealing, EPD},
}