@misc{Sass_Jerzy_Zastosowanie_1974,
 author={Sass Jerzy},
 number={5},
 copyright={Rights Reserved - Free Access},
 address={Warszawa},
 journal={Electronic Materials},
 howpublished={online},
 year={1974},
 publisher={Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"},
 language={pol},
 title={Zastosowanie transmisyjnej topografii rentgenowskiej w nierównoległym układzie spektrometru dwukrystalicznego do badania homoepitaksjalnych warstw Si = Application of transmission X-ray topography in the non-parallel system of biocrystal spectrometer for homoepitaxial Si layers investigations},
 type={Text},
 URL={http://www.rcin.org.pl/Content/27012/PDF/WA901_10445_M1_r1974-z5_Mater-Elektron-Sass_i.pdf},
 keywords={Electronic- materials, Electronic - journal - materials, transmission x-ray topography, Si, homoepitaxial Si layer},
}