@misc{Kozubal_Michał_Wpływ_2010,
 author={Kozubal Michał},
 volume={38},
 number={2},
 copyright={Rights Reserved - Free Access},
 address={Warszawa},
 journal={Electronic Materials},
 howpublished={online},
 year={2010},
 publisher={ITME},
 language={pol},
 type={Text},
 title={Wpływ koncentracji donorów na właściwości i koncentrację centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC = Effect of donor concentration on parameters and concentration of defect centers in 4H-SiC epitaxial layers},
 URL={http://www.rcin.org.pl/Content/18115/PDF/WA901_16605_M1_r2010-t38-z2_Mater-Elektron-Koz_i.pdf},
 keywords={Electronic - journal - materials, Electronic - materials, 4H-SiC, defect centers, epitaxial layers},
}